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介電常數分析儀器簡介：
日本AET微波(高頻)介電常數分析儀, 利用微波技術結合高Q腔以及3D電磁場模擬技術，采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測量材料的高頻介電常數，深圳日本折原-中國市場合作供應商 此方法保證了介電常數測量結果的精確性。
一、技術參數：
可測試頻率范圍： 800M～40GHz
介電常數Epsilon：1-15， 準確度： ±1%，
介電損耗tangent delta：0.1-0.001， 準確度：±5%
共有兩種同軸共振腔，每個腔可測五個頻點:
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特點：
同軸共振腔適用于不同形狀樣品。
包括薄膜樣品的非破壞性測量，使用簡易的逐步操作，內置的反饋振蕩器電路可實現精確的量測。
三、應用領域：
高速數字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質 ；化學制品；
薄膜與新材料；半導體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；納米材料；光電材料等
日本AET介電常數測定儀 無損誘電率測定裝置
廣泛運用：玻璃 、陶瓷、通訊、高鐵、航空航天、物聯網、消費電子、白色家電、3C數碼產品等領域。
服務熱線：13590123401
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日本AET微波(高頻)介電常數分析儀, 利用微波技術結合高Q腔以及3D電磁場模擬技術，采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測量材料的高頻介電常數，深圳日本折原-中國市場合作供應商 此方法保證了介電常數測量結果的精確性。
一、技術參數：
可測試頻率范圍： 800M～40GHz
介電常數Epsilon：1-15， 準確度： ±1%，
介電損耗tangent delta：0.1-0.001， 準確度：±5%
共有兩種同軸共振腔，每個腔可測五個頻點:
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特點：
同軸共振腔適用于不同形狀樣品。
包括薄膜樣品的非破壞性測量，使用簡易的逐步操作，內置的反饋振蕩器電路可實現精確的量測。
三、應用領域：
高速數字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質 ；化學制品；
薄膜與新材料；半導體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；納米材料；光電材料等
日本AET介電常數測定儀 無損誘電率測定裝置
廣泛運用：玻璃 、陶瓷、通訊、高鐵、航空航天、物聯網、消費電子、白色家電、3C數碼產品等領域。
介電常數分析儀器簡介：
日本AET微波(高頻)介電常數分析儀, 利用微波技術結合高Q腔以及3D電磁場模擬技術，采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測量材料的高頻介電常數，深圳日本折原-中國市場合作供應商 此方法保證了介電常數測量結果的精確性。
一、技術參數：
可測試頻率范圍： 800M～40GHz
介電常數Epsilon：1-15， 準確度： ±1%，
介電損耗tangent delta：0.1-0.001， 準確度：±5%
共有兩種同軸共振腔，每個腔可測五個頻點:
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特點：
同軸共振腔適用于不同形狀樣品。
包括薄膜樣品的非破壞性測量，使用簡易的逐步操作，內置的反饋振蕩器電路可實現精確的量測。
三、應用領域：
高速數字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質 ；化學制品；
薄膜與新材料；半導體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；納米材料；光電材料等
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